Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне <$E2,3~cdot~10 sup 4 ~-~4~cdot~10 sup 1 ~roman {Ом~cdot~см}>, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603 - 818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую с помощью метода контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением <$E2,4~cdot~10 sup 2 ~roman {Ом~cdot~см}> получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см<^>2 при 963 К.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Нищенко Михайло Маркович (технічні науки)
• Смольник Святослав Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шевченко Наталія Олександрівна (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"