∕≤∘∘⊥σСформированы интеркалянтные наноструктуры InSe<htd> и GaSe<htd>. Для первой наноструктуры визуализированы эффекты отрицательной фотоемкости и квантовой емкости. Внедрение гистидина между слоями селенида индия приводит к росту анизотропии электропроводности σ_||/σ_⊥от 67 до 226. Температурные зависимости реальной составляющей комплексного импеданса свидетельствуют о полупроводниковом механизме проводимости вдоль слоев с двумя энергиями активации - 1,6 мэВ в низкотемпературной и 0,25 мэВ в высокотемпературной областях. Для второй наноструктуры наблюдаются 20-кратный рост фоточувствительности и появление гигантского высокочастотного отрицательного магнетосопротивления. Анизотропия электропроводности σ_||/σ_⊥ наноструктуры GaSe<htd> составляет 10². Температурная зависимость реальной составляющей комплексного импеданса вдоль слоев в температурных областях -30^∘C<t ≤ 10^∘C, 10^∘C<t ≤ 30^∘C, 30^∘C<t ≤ 50^∘C демонстрирует кардинально отличающиеся механизмы электропроводности. Энергии активации составляют 0,35 в низкотемпературном и 0,69 в высокотемпературном интервалах. При температурах 30^∘C<t ≤ 10^∘C наблюдается неактивационный механизм электропроводности. Для двух наноструктур приведены значения параметров зонного спектра до и после внедрения гистидина, вычисленные по теории Джеболла - Поллака, которые хорошо коррелируют с полученными экспериментальными данными.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"