Ivashchyshyn F. O. Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe<> and GaSe<> / F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, M. I. Klapchuk // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр.. - 2015. - 13, вип. 3. - С. 403-414. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.∕≤∘∘⊥σСформированы интеркалянтные наноструктуры InSe<htd> и GaSe<htd>. Для первой наноструктуры визуализированы эффекты отрицательной фотоемкости и квантовой емкости. Внедрение гистидина между слоями селенида индия приводит к росту анизотропии электропроводности σ||/σ⊥от 67 до 226. Температурные зависимости реальной составляющей комплексного импеданса свидетельствуют о полупроводниковом механизме проводимости вдоль слоев с двумя энергиями активации - 1,6 мэВ в низкотемпературной и 0,25 мэВ в высокотемпературной областях. Для второй наноструктуры наблюдаются 20-кратный рост фоточувствительности и появление гигантского высокочастотного отрицательного магнетосопротивления. Анизотропия электропроводности σ||/σ⊥ наноструктуры GaSe<htd> составляет 102. Температурная зависимость реальной составляющей комплексного импеданса вдоль слоев в температурных областях -30∘C<t ≤ 10∘C, 10∘C<t ≤ 30∘C, 30∘C<t ≤ 50∘C демонстрирует кардинально отличающиеся механизмы электропроводности. Энергии активации составляют 0,35 в низкотемпературном и 0,69 в высокотемпературном интервалах. При температурах 30∘C<t ≤ 10∘C наблюдается неактивационный механизм электропроводности. Для двух наноструктур приведены значения параметров зонного спектра до и после внедрения гистидина, вычисленные по теории Джеболла - Поллака, которые хорошо коррелируют с полученными экспериментальными данными. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206.33
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|