Дацюк А. М. Вплив точкового дефекту вуглецевої нанотрубки типу (8,0) на розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в околі її порту / А. М. Дацюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - 16, № 3. - С. 515-519. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Проаналізовано вплив точкового дефекту на електронну та просторову будову модельної вуглецевої нанотрубки (ВНТ) (8,0) залежно від розміщення вакансії в структурі нанотрубки. На підставі проведених квантово-хімічних розрахунків, використовуючи напівемпіричні та неемпіричні підходи, побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в площині, перпендикулярній головній осі нанотрубки. Показано, що дефекти типу "вакансія", які розміщуються за межами першого гексагонального вуглецевого пояса практично не впливають на топологію розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в околі входу в ВНТ, натомість хімічну активність портових атомів такої нанотрубки можуть визначати точкові дефекти вакансійного типу, що розміщуються в першому гексагональному поясі. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|