РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000597200<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Vlaskina S. I. External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 4. - С. 448-451. - Бібліогр.: 28 назв. - англ. Influence of plastic deformation and high-temperature annealing (<$ET~=~2100~symbol Р roman C>, t = 1 h) on SiC crystals with grown polytypic junctions demonstrating SF and DL spectra have been presented. SF-i and DL-i type luminescence are inherent to SiC crystals with distortions of the structure related with availability of packing defects that lead to onedimensional disordering (along the c-axis). They are a most expressed in doped crystals with original growth defects. DL luminescence appears in pure crystals at plastic deformation and in doped crystals at a hydrostatic pressure. It enhances at the high temperature annealing, too. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського