Виготовлено та досліджено структури метал/нанокристалічний-CeOx/Si з метою створення фтотодетекторів на основі гетеропереходу. Фоточутливість одержаних структур у видимому діапазоні становить 330 мкA/Лм-В, густина поверхневих станів - на рівні 7 x 10<^>10 см<^>-2-еВ<^>-1. Діелектрична проникненість плівок CeOx на постійному струмі становить 15. Тонкі (80 нм) плівки оксиду церію в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al одержано за допомогою методу "вибухового випаровування". Досліджено вплив технологічних факторів на мікроструктуру плівок CeOx, а також на фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Виявлено, що нанокристалічна плівка CeOx в одержаних структурах Al/nc-CeOx/Si/Al - це напівпровідник з електронним типом електропровідності та об'ємним опором у межах 0,5 - 30 МОм-см.

• Борисов Андрій Вікторович (державне управління)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"