Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000598836<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Borisov A. V. Al/nanocrystalline CeOx/Si/Al structures for heterojunction photodetectors = Структури Al/нанокристалічний CeOx/Si/Al для фотодетекторів на основі гетеропереходу / A. V. Borisov, L. N. Korolevych, N. V. Maksimchuk // Электроника и связь. - 2014. - 19, № 6. - С. 9-13. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.Виготовлено та досліджено структури метал/нанокристалічний-CeOx/Si з метою створення фтотодетекторів на основі гетеропереходу. Фоточутливість одержаних структур у видимому діапазоні становить 330 мкA/Лм-В, густина поверхневих станів - на рівні 7 x 10<^>10 см<^>-2-еВ<^>-1. Діелектрична проникненість плівок CeOx на постійному струмі становить 15. Тонкі (80 нм) плівки оксиду церію в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al одержано за допомогою методу "вибухового випаровування". Досліджено вплив технологічних факторів на мікроструктуру плівок CeOx, а також на фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Виявлено, що нанокристалічна плівка CeOx в одержаних структурах Al/nc-CeOx/Si/Al - це напівпровідник з електронним типом електропровідності та об'ємним опором у межах 0,5 - 30 МОм-см. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|