Наведено результати експериментальних спостережень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури <$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р> на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їх динамічні зміни за 300 K. Запропоновано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) за 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-<$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р>, що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дальнього порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) і графен(0001).

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Горячко Андрій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"