Вперше вивчено легування азотом плівок ZnO в процесі їх осадження за пошарового росту методом високочастотного магнетронного розпилення на Si₃N₄\Si підкладки та досліджено вплив температури підкладки, тиску кисню та азоту в камері осадження на мікроструктуру та морфологію поверхні плівок, їх оптичні властивості, електронні стани. Визначено, що швидкість зменшення міжплощинних відстаней (0001) кристалічної гратки ZnO зі збільшенням часу термічного відпалу на повітрі за температури 600 °С є сталою величиною до повної релаксації міжплощинних напруг деформації. Показано, що тривалість термічного відпалу на повітрі плівок ZnO є визначальним для зменшення в них мікронапруг та концентрації дефектів. Запропоновано метод розрахунку величини оптимальної тривалості термічного відпалу. Встановлено, що збільшення концентрації азоту в гратці ZnO приводить до збільшення фоточутливості фотодіодів на його основі. Запропоновано використання методу пошарового осадження за магнетронного розпилення та показано його ефективність для одержання структурно досконалих плівок ZnO потрібної товщини як на кристалічних, так і аморфних підкладках. Вивчено фотоелектричні властивості фоторезисторів і показано, що покращання структурної досконалості нелегованих плівок ZnO та зміна геометрії контактів до них дозволяють збільшити фоточутливість та позитивно вплинути на швидку часову компоненту релаксації фотопровідності. Виявлено, що введення азоту в кристалічну гратку оксиду цинку дозволяє суттєво збільшити фоточутливість та швидкодію фоторезисторів на його основі. Вперше досліджено фотоелектричні характеристики фототранзисторної структури Ni/ZnO:N/p-Si в широкому спектральному діапазоні та розкрито фізичну природу ефекту підсилення в ній фотоструму.

• Євтушенко Альона Іванівна (фізико-математичні науки)
• Євтушенко Арсеній Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"