Досліджено механізми переносу заряду і фотоелектричного перетворення в детекторах X- і γ-випромінювання на CdTe та твердих розчинах на його основі з бар'єрною структурою та двома омічними контактами, вивчено можливості застосування в детекторах, окрім CdTe і Cd_1-xZn_xTe, інших твердих розчинів на основі CdTe (Cd_1-xMn_xTe), з'ясовано причини недостатньої енергетичної роздільної здатності таких детекторів. Виявлено раніше невисвітлені у літературі важливі для практики особливості електричних характеристик кристалів, застосовуваних в X- і γ-детекторах, з практично власною провідністю з урахуванням наявних глибоких енергетичних рівнів у забороненій зоні. Вперше аналітично обгрунтовано властивості кристалів CdTe і Cd_1-xZn_xTe, легованих елементами III або VII групи періодичної системи (Cl, In), через утворення самокомпенсованих комплексів. Обгрунтовано теоретичну модель, яка дозволяє розрахувати спектральний розподіл ефективності детектування Х/γ-променів у кристалах CdTe і Cd_0,9Zn_0,1Te. Встановлено кореляцію концентрації нескомпенсованих домішок у кристалах з ефективністю збирання фотогенерованого заряду в детекторах з діодами Шотткі. Вперше показано, що тонкі шари (плівки) CdTe з діодом Шотткі загалом не поступаються технологічно складнішим детекторам на напівізолюючому CdTe і можуть слугувати альтернативою існуючим детекторам Х-променевого зображення на основі селену (a-Se).

• Маслянчук Олена Леонідівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"