В результаті дослідження полірування монокристалічних матеріалів показано, що продуктивність зняття матеріалу, що обробляється, залежить від коефіцієнта об'ємного зносу та довжини шляху тертя елемента оброблюваної поверхні вздовж поверхні полірувальника. Встановлено, що полірування плоских поверхонь оптоелектронних елементів з монокристалів карбіду кремнію доцільно здійснювати з використанням полірувальної суспензії порошків на основі МАХ-фази Ti3AlC2 та колоїдних систем наночастинок, монокристалів сапфіру - за допомогою суспензії з алмазних мікропорошків, порошків кубічного нітриду бору та МАХ-фази Ti3AlC2. Нанополірування поверхонь елементів монокристалів сапфіру слід здійснювати за використання колоїдної системи наночастинок. Показано, що продуктивність полірування монокристалів карбіду кремнію та сапфіру обернено пропорційна енергії переносу, максимальне значення якої відповідає мінімальній шорсткості.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"