Шатерник В. Е. Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Суворов, Н. А. Скорик, М. А. Белоголовский // Физика низ. температур. - 2016. - 42, N 5 (спец. вып.). - С. 544-547. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры, состоящие из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и допированного вольфрамом наноразмерного слоя кремния. В интервале напряжений от -800 до 800 мВ и при температурах 4,2 - 8 К измерены вольтамперные характеристики таких переходов, на которых впервые наблюдались локальные максимумы тока на фоне скачкообразного увеличения его величины. Положения этих особенностей, симметричных относительно нуля напряжений, менялись от образца к образцу в пределах 40 - 300 мВ. С ростом температуры они размывались и полностью пропадали с исчезновением сверхпроводимости в электродах. Природу наблюдаемых сингулярностей мы связываем с особенностями электронного туннелирования через локализованные в полупроводниковом барьере примесные состояния. Использование сверхпроводящего электрода усиливает взаимодействие локализованного электрона с электронами проводимости благодаря корневой расходимости в плотности электронных состояний сверхпроводника. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|