Sizov F. HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region = Фотодиоды HgCdTe средневолнового ИК диапазона спектра / F. Sizov, Z. Tsybrii, M. Vuichyk, K. Andreyeva, M. Apatska, S. Bunchuk, N. Dmytruk, M. Smolii // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2016. - 13, № 1. - С. 49-55. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Изготовлены фотодиоды HgCdTe средневолнового инфракрасного (ИК) диапазона спектра большой площади (∅ = 0,5 мм) с длинноволновой границей фотоответа λco ≈ 5 мкм и исследованы их характеристики на структурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Оценены характеристики таких фотодиодов, необходимые для их функционирования в режимах, ограниченных флуктуациями потока фотонов фонового излучения (BLIP режим, BLIP-background limited performance). Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|