Исследована поверхностная фотопроводимость структур макропористого кремния с оксидным покрытием толщиной от 3 до 30 нм при сильном поверхностном поглощении света; коэффициент поглощения изменялся от 330 до 10<^>5 см<^>-1 (длина волны освещения от 0,93 до 0,4 мкм). На длине волны 0,4 и 0,57 мкм и толщине оксидного покрытия от 3 до 15 нм проявлялась поверхностная монополярная отрицательная фотопроводимость (ФП), что объясняется инверсионным изгибом зон в приповерхностных слоях полупроводника и прилипанием основных носителей заряда на так называемых "медленных" поверхностных уровнях. При толщине оксидного покрытия 30 нм проявлялась положительная ФП с аномальной спектральной зависимостью: с увеличением коэффициента поглощения от 330 до 10<^>5 см<^>-1 (уменьшением длины волны освещения от 0,93 до 0,4 мкм) ФП не уменьшалась, а возрастала - проявлялся эффект локализации ФП в области пространственного заряда.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"