Iliash S. A. Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S. A. Iliash, S. V. Kondratenko, A. S. Yakovliev, Vas. P. Kunets, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 75-78. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Thermally stimulated conductivity of the InGaAs - GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after turning-off the illumination. Analyzing the data of thermally stimulated conductivity, the following energies of electron traps were found: 90, 140, and 317 meV. The role of deep traps in recombination process as well as the photoconductivity mechanism was discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|