Фартушна Ю. В. Сравнительный анализ строения диаграмм состояния трехкомпонентных систем Ti - РЗМ - {Si, Ge, Sn, Ga} / Ю. В. Фартушна // Порошковая металлургия. - 2016. - № 3/4. - С. 109-126. - Библиогр.: 88 назв. - рус.Проведен сравнительный анализ строения диаграмм состояния систем Ti - РЗМ - p-элемент в концентрационной области до 40 % (ат.) p-элемента. Показано, что признаком, который отличает ряды систем, является наличие двухфазных равновесий R5X3 + (Ti) и Ti5X3 + (R). По этим признакам системы разделены на три типа. Установлено, что принадлежность системы к одному из типов определяется относительной термодинамической стабильностью соединений R5X3 и Ti5X3. Предложен фактор δ = ΔfH[R5X3 ] / ΔfH[Ti5X3], который позволил сделать прогноз характера строения диаграмм состояния не исследованных систем Ti - РЗМ - {Si, Ge, Sn, Ga}. Если δ < 1, характер равновесий определяется фазой Ti5X3 и система принадлежит к типу 1. Наиболее характерным топологическим признаком систем этого типа является двухфазное равновесие Ti5Si3 + (R). Если δ >1, характер равновесий определяется фазой R5X3. Система принадлежит к типу 2, а ее топологический признак - двухфазное равновесие R5Х3 + (Ti). При δ ≈1 фазы Ti5Х3 и R5Х3 в равной мере определяют характер равновесий, система принадлежит к типу 3, а ее топологический признак - отсутствие равновесий Ti5X3 + (R) и R5X3 + (Ti) и наличие равновесий (Ti) + Ʈ и (R) + Ʈ. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.160.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|