Наведено результати експериментального дослідження процесів зворотного оптичного і термічного послаблення фотохромного ефекту у кристалах Bi12SiO20:Al. Показано, що оптичне гасіння найбільш ефективне у діапазоні <$Eh nu~=~0,5~-~2> eV, а за <$Eh nu~>>~1,4> eV процес ослаблення переходить у процес відновлення фотохромного ефекту. Термічне гасіння проходить у 2 етапи з максимальним знебарвленням за T<^>h = 152 и 208 К. Запропоновано модель електронних переходів типу "домішковий рівень - зона", де за домішкові рівні відповідають нестехіометричні іони <$Eroman {Bi sub Si sup 5+ }> (донори) та іони <$Eroman {Al sub Si sup 3+ }> (акцептори). Крім того, у процеси збудження та гасіння фотохромного ефекту вносять вклад внутрішньоцентрові переходи у комплексах [AlSiO4].

• Дяченко Анна Анатоліївна (фізичне виховання та спорт)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"