Створено фоточутливі сандвіч-структури на основі поруватого кремнію. Вивчено вплив легування поруватого шару іонами паладію на електричні та фотоелектричні властивості одержаних структур. Виявлено збільшення електропровідності та фотоерс експериментальних структур внаслідок інкорпорації паладію в матрицю поруватого кремнію. Досліджено температурні, енергетичні та часові залежності фотовідгуку бар'єрних структур та їх спектральні характеристики в діапазоні довжин хвиль 450 - 1100 нм. Одержані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію у фотоелектроніці.

• Оленич Ігор Богданович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"