Досліджено кінетичні явища, які виникають в епітаксійних GaN структурах з низькою концентрацією носіїв за умов, коли функція розподілу носіїв заряду є сильно нерівноважною. Визначено інтервали електричних і магнітних полів, в яких можливе виникнення режиму стримінгу, показано сильну залежність магнетотранспортних характеристик у схрещених електричних і магнітних полях від параметрів електричної схеми. Запропоновано оригінальну ідею сильнопольового перемикача струму. Вперше визначено параметри компенсованих епітаксійних GaN структур, робочі температури, інтервали прикладених електричних полів, за яких виникає струмова нестійкість високочастотного типу та можлива генерація електромагнітного випромінювання в терагерцовому діапазоні частот. Показано вплив магнітного поля на поляризаційні залежності спектрів пропускання та поглинання для таких структур. Запропоновано оригінальний метод розрахунку динамічної диференціальної провідності, яка характеризує відгук електронної підсистеми на високочастотне просторово-неоднорідне періодичне збурення.

• Сингаївська Галина Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"