Розглянуто фізичні моделі поверхні напівпровідника. Наведено фізичні характеристики поверхні напівпровідників. Подано інформацію про вплив розсіювання носіїв заряду поверхнею напівпровідника на процеси переносу. Приділено увагу управлінню вигином зон на поверхні напівпровідника за допомогою ефекту поля. Наведено основні елементи теорії Стівенсона і Кейса. Описано квантові розмірні ефекти в тонких плівках. Висвітлено вплив поверхневих ефектів на електрофізичні, фотоелектичні й оптичні явища у напівпровідниках.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"