It was developed the technology of manufacturing planar betavoltaic converter based on silicon, providing a higher rate of conversion of ionizing radiation into electrical energy by reducing reverse currents. The active region of silicon p - i - n structure is 1 cm², which is irradiated by the of radionuclide ⁶³ Ni with the activity 2,7 mCi/cm². The results of experimental studies of C-V samples are presented. The values of the open-circuit voltage (V_oc) 0,111 V are presented and short circuit current density (J_sc) 27 nA/cm². The maximum density of output power (P_max) was 1,52 nW/cm².

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"