Reported about study of processes of formation of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to heterostructures AlGaN/GaN and gate Ni/Au. Investigated of process recess the semiconductor layer for minimum resistance of ohmic contact - <$E0,4~roman {Ohm~cdot~mm}>. Studied influence of encapsulation ohmic contacts on their surface morphology.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"