За допомогою методу термічного окиснення напівпровідникової підкладки створено новий гетероперехід власний оксид - p-In₄Se₃. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудовано його якісну зонну діаграму. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар'єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Наведено також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"