Махний В. П. Получение и свойства УФ-сенсоров на подложках GaP с модифицированной поверхностью / В. П. Махний, Г. И. Бодюл, И. И. Герман, В. М. Склярчук // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2016. - 13, № 3. - С. 67-73. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Исследованы фотоэлектрические свойства контактов Ni - GaP на основе монокристаллических подложек n-GaP с поверхностной наноструктурой, созданной химическим травлением в расплаве KOH + HNO3 = 1:50. Спектр фоточувствительности таких структур охватывает диапазон 2,5 - 4 эВ, а напряжение холостого хода и токовая чувствительность достигают 0,9 В и 0,35 А/Вт соответственно, что значительно выше, чем у существующих аналогов. Індекс рубрикатора НБУВ: З997-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|