Пагава Т. А. Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si / Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе, Д. З. Хочолава // Укр. фіз. журн.. - 2015. - 60, № 6. - С. 522-529. - Библиогр.: 29 назв. - рус.Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов <$EN~=~6~times~10 sup 13 ~roman см sup -3> облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|