Druzhinin A. A. Charge carrier transport of polysilicon in SOI-structures at low temperatures / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. N. Khoverko, A. N. Vuitsyk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 3. - С. 662-666. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.The studies of temperature dependence of conductivity and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration 2,4 x 1018 сm-3 before recrystallization in temperature range 4,2 - 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are 80 x 8 x 0,5 mum. Індекс рубрикатора НБУВ: З852-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|