Встановлено особливості формування багатошарових плівкових композицій (БПК) C/Si, структурно-фазових перетворень у них за нагріву, механізмів їх термічного руйнування, перспектив їх використання як багатошарових рентгенівських дзеркал (БРД) та антифрикційних нанопокриттів. Зазначено, що у вихідному стані БПК C/Si є шарами С і Si, розділеними між собою змішаними зонами завтовшки ≈ 0,6 нм. Період БПК залежить від температури немонотонно, що пов'язано із паралельними процесами росту змішаних зон та графітизації С. Доведено, що за 700°С частково кристалізується Si, за 800°С у шарі Si формується кристалічний 3C-SiC, процес триває і за 900°С та супроводжується утворенням пор у Si шарі. Це є причиною руйнування композиції. Вказано, що багатошарові рентгенівські дзеркала C/Si можуть ефективно використовуватися за температур до 800°С. Двошарова плівка C/Si із співвідношенням товщин 25/102 нм має низький, близько 0,09, коефіцієнт тертя та високу зносостійкість.

• Журавель Ірина Олександрівна (1966–) (фармацевтичні науки)
• Журавель Ігор Олександрович (фізико-математичні науки)
• Журавель Ірина Олександрівна (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"