Досліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку та води, в p - n переходах на основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Крива спадання струму в цьому випадку має три експоненціальні компоненти з різними значеннями характеристичного часу: Ʈ₁ = 30, Ʈ₂ = 1 900 і Ʈ₃ = 9 400 с, а також компоненту з Ʈ₄ - Ʈ₃. Результати пояснено в межах простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною та щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"