Розроблено технологію обробки напівпровідникових кристалів у коронному розряді. Встановлено, що в результаті цього впливу зразки набувають знакоперемінну спектральну чутливість. Явища, що спостерігаються, пояснено виникненням двосхилого потенційного бар'єра в приповерхній області елемента, незвичайні властивості якого можуть надати можливість створення приладу нового типу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"