Наведено результати досліджень спектрів п'єзофотопровідності шаруватих кристалів In4Se3, складової провідності пропорційної добутку інтенсивності світла на механічну напругу. Проаналізовано структурні зміни кристалу, які зумовлені деформуючою силою, яка має гармонічну складову низької частоти. Показано, що деформуюча сила призводить до відносного зсуву шарів і до зміни складової періоду гратки нормальної до площини шарів, яка реалізується дискретно. Проаналізовано зміни у структурі електронних станів, які зумовлені дифракцією Блохівських хвиль на створених Брегівських площинах, а також на знятті виродження енергетичних станів механічною напругою. З'ясовано причини часового зсуву між фазами деформуючої сили і струмом п'єзофотопровідності. Оцінено можливості практичного використання ефекту.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"