Наведено результати розрахунків у межах теорії функціонала густини для дослідження впливу точкових дефектів на електронну структуру кристалів Hg3Te2Cl2 з використанням моделі суперкомірки [2 x 2 x 1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних і дефектних кристалів Hg3Te2Cl2 у наближенні локальної густини, використовуючи квантово-хімічний програмний пакет SIESTA. Досліджуваний кристал є непрямозонним напівпровідником. Згідно з аналізом одержаних даних, величини непрямого та прямого переходів становлять 2,628 і 2,714 еВ відповідно. Вплив дефектів вакансій на провідні та оптичнівластивості кристалів Hg3Te2Cl2 обговорено в деталях. Дефектні стани вакансій телуру та хлору створюють додаткові енергетичні рівні нижче дна зони провідності. Результати дослідження показують, що тільки вакансії телуру створюють додаткові енергетичні рівні в околі вершини валентної зони. Встановлено, що присутність точкових дефектів у кристалах Hg3Te2Cl2 змінює напрямок оптичних переходів і тому дефектний кристал є прямозонним напівпровідником. Одержано задовільне узгодження з експериментальними даними.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"