Визначено умови вирощування змішаних оксиортосилікатів LGSO:Ce методом Чохральського з різним співвідношенням Lu/Gd, що дозволило одержати цілісні (без тріщин) великогабаритні кристали діаметром до 35 мм і довжиною до 150 мм. Показано, що оптимізація складу матриці та вмісту активатору (Lu / (Lu + Gd) = 0.4 - 0.6; С (Се) < 0.8 ат. %) забезпечує зменшення концентрації кисневих вакансій, перепоглинання та температурного гасіння люмінесценції в кристалі, і дозволяє досягти світловий вихід 29 000 фот./МеВ, енергетичне розділення 6.7 - 7.3 % за збудження гамма квантами з енергією 662 кеВ, рівень післясвітіння складає 0.025 - 0.1 % після 5 мс. Визначено структурні параметри та щільність кристалів у всьому інтервалі концентрацій від GSO до LSO. Визначено умови післяростового відпалу (окиснювальна атмосфера з вмістом кисню ~ 21 об. %, 1 150 °С) кристалів LGSO:Ce, які дозволяють покращити енергетичне розділення на 0.5 - 2.5 % за збудження гамма квантами з енергією 662 кеВ внаслідок зменшення концентрації кисневих вакансій.

• Курцев Данііл Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"