The method of electrophysical diagnostic of n⁺ - n - n⁺ structures at the etching stage of manufacturing process of power IMPATT diodes has been proposed. A numerical method for specific contacts resistance calculation of vertical ohmic contacts with a non-uniform doping level has been developed. Vertical ohmic contacts Au - Ti - Pd - n⁺ - n - n⁺ - Si both before and after etching were used for experimental checking this model. It has been computed the value of contact resistance in the interface metal-n⁺ with correction of contribution of n⁺ - n and n - n⁺ resistances to the total resistance. The values of total effective resistances of vertical ohmic contacts Au - Ti - Pd - n⁺ - n - n⁺ - Si may be calculated using the Cox-Strack method. We used solutions of Laplace's equation for computation of specific contact resistance metal-n⁺ without contribution of interfaces n⁺ - n and n - n⁺. The values of specific contact resistance were ~10^-6 Ohm · cm². This method allows to control the manufacture process by monitoring the changes in electrophysical properties of the structure between etching cycles.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"