Покутний С. И. Экситонные состояния в полупроводниковых наносистемах / С. И. Покутний, П. П. Горбик, С. Н. Махно, С. Л. Прокопенко // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2016. - 7, № 3. - С. 285-294. - Библиогр.: 26 назв. - рус.Вариационным методом, в рамках модифицированного метода эффективной массы, получен энергетический спектр основного состояния экситона, движущегося в объеме квантовой точки (КТ), помещенной в воздух, как функция радиуса квантовой точки. Установлено, что в запрещенной зоне КТ селенида цинка возникает зона экситонных состояний, расположенная у дна зоны проводимости. Показано, что уменьшение ширины запрещенной зоны в такой наносиcтеме обусловлено переходом электрона с квантоворазмерного уровня, расположенного в валентной зоне КТ, на уровни зоны экситонных состояний. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|