Монокристали алмазу різних типів одержано за допомогою методу розчин-розплавної кристалізації за високого тиску і температур. Для визначення виходів дислокацій на грані {100} і {111} застосовано метод вибіркового травлення кристалів в розплаві KOH і KNO₃. Показано, що густина дислокацій N_д становить 0,8 - 3 · 10² см^-2 для монокристалів алмазу, вирощених у разі низьких швидкостей росту, 1 - 2 мг/год, за T = 1 420 - 1 500 °C. Для швидкостей вирощування 3 - 5 мг / год та 20 - 25 мг / год за температур 1 280 - 1 450 °C та 1 280 - 1 350 °C, відповідно, величину N_д визначено 1,1 - 2,2 · 10³ та 1,06 - 1,35 · 10⁶ см^-2.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"