Voronkin E. F. The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons = Перспективи застосування кремнієвих фотодіодів для реєстрації альфа-, бета-випромінювання і нейтронів / E. F. Voronkin, B. V. Grinyov // Functional Materials. - 2016. - 23, № 4. - С. 665-667. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.Вивчено можливості застосування кремнієвих фотодіодів для реєстрації альфа-, бета-випромінювань та нейтронів. Проаналізовано електронно-фізичні властивості фотодіодів, які забезпечують спектрометричні характеристики напівпровідникового детектора ядерних випромінювань, як то: електронні шуми, товщина чутливого шару, товщина поверхневого нечутливого шару. Показано, що енергетичний дозвіл для альфа-частинок дорівнює 10 - 25 кеВ, що є порівняним з дозволом у кращих поверхнево-бар'єрних напівпровідникових детекторів. Також фотодіоди можуть бути застосовані для вимірювання потоку бета-частинок, в спектрометрії до енергії 300 кеВ та для вимірювання потоку теплових і швидких нейтронів з ефективністю близько 1 %. Експлуатаційні характеристики фотодіодів допускають застосовання їх на промислових площадках ядерних об'єктів та за польових умов. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|