Дисертація присвячена підвищенню якості підкладок GaAs шляхом розробки нової технології виготовлення підкладок, удосконалення математичних моделей та методик, методів і пристроїв неруйнівного контролю якості підкладок за промислових умов. За результатами математичного моделювання уточнено дані щодо значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямах. Визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності С₁₁, С_{12[[/d]], С44[[/d]]. Визначено умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs у разі впливу на неї залишкових напруг. Розроблено методики, пристрої та удосконалено методи, зокрема: методика, пристрій "Полярон - 4" та метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaAs; методика, пристрій "ТВ-Діслок 1" та метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaAs; методика, пристрій "АКІДП - 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaAs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту, який забезпечує точність контролю не менш ± 1.5 мм. Це дозволило за рахунок покращання роботи системи управління вирощуванням зменшити рівень залишкових напружень до значення менш, ніж 40 МПа та густини дислокації менш, ніж 1,3 х 10⁵ см^]-2. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaAs забезпечила підвищення якості підкладок GaAs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10 %, зменшення щільності дислокацій на 12 %, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5 - 7 %.}

• Притчин Сергій Емільович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"