Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4. - С. 507-510. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe - n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|