Наведено результати експериментального визначення впливу вихідної концентрації тартратної кислоти на особливості хімічної взаємодії напівпровідників InAs, InSb, GaAs і GaSb з травильними розчинами (NH₄)₂Cr₂O₇ - HBr - C₄H₆O₆. Встановлено, що введення C₄H₆O₆ знижує загальну швидкість розчинення кристалів, підвищуючи в'язкість травильних композицій, а також покращує полірувальні властивості травильних розчинів. Порівняльний аналіз впливу зміни складу травильних композицій (NH₄)₂Cr₂O₇ - HBr - C₄H₆O₆ з різною вихідною концентрацією C₄H₆O₆ на параметри хіміко-динамічного полірування свідчить про те, що застосування 40 %-ної C₄H₆O₆, в порівнянні з 27 %-ною, забезпечує якісніше полірування поверхні кристалів.

• Левченко Ірина Володимирівна (сільськогосподарські науки)
• Левченко Ірина Валеріївна (хімічні науки)
• Стратійчук Ірина Борисівна (хімічні науки)
• Томашик Василь Миколайович (хімічні науки)
• Маланич Галина Петрівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"