За допомогою великого термодинамічного потенціалу Гіббса обгрунтовано кінетичні тензори відомих у нерівноважній термодинаміці узагальнених рівнянь електропровідності та теплопровідності. Ці тензори визначають розрахункові алгоритми матеріальних тензорів провідних кристалів і коефіцієнтів різних гальваномагнітних і термомагнітних ефектів. Ці алгоритми - прагматичні формули в розрахункових задачах кінетичних властивостей кристалів і в задачах прогнозування напівпровідникових кристалів із заданими властивостями. Їх прагматичність підтверджується величезною кількістю наукових робіт, присвячених дослідженням кінетичних властивостей напівпровідникових кристалів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"