Гайдар Г. П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - 18, № 1. - С. 34-40. - Бібліогр.: 16 назв. - укp.Досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою та направленим тиском X, орієнтованим як у напрямку <$E symbol ... 100 symbol ъ>, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього та поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов <$E J Vec~||~X Vec~||~[100]> і <$E J Vec~symbol <94>~X Vec~||~[100]>. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов <$E X Vec~||~J Vec~||~[111]>, тобто, за відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обгрунтування одержаних результатів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|