Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000651794<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Fomin A. V. Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing / A. V. Fomin, G. A. Pashchenko, M. Yu. Kravetskyi, I. G. Lutsyshyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 1. - С. 118-122. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.Studied experimentally in this work has been the process of smoothing relief roughness on the GaAs wafer surface by using the method of contactless nonabrasive chemical-and-mechanical polishing under conditions of its rotational movement relatively to the polishing plate. The model of this process has been developed under assumption that the pure diffusion smoothing mechanism takes place there. It has been shown that satisfactory correspondence between respective calculated dependences and experimental results can be reached by introducing the "effective" diffusion coefficient providing account of etchant convection. Індекс рубрикатора НБУВ: К637.400.86
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|