![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000653140<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Ходаковський М. І. Дослідження методів локальної діагностики структурних властивостей приладових наноструктур за допомогою електростатичної силової мікроскопії / М. І. Ходаковський, С. Ю. Ларкін, Г. Г. Галстян, В. П. Бевз // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2011. - Вип. 205. - С. 5-14. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Наведено результати експериментальних досліджень розподілу зарядів і потенціалів в електростатичній мікроскопії (ЕСМ) з використанням зразків-еталонів з гладким на нанометровому рівні рельєфом поверхні. Одержані різкі границі в рельєфі потенціалу з незмінними амплітудами. Показано, що застосування напівпровідникових структур на основі GaAs з різким p-n переходом для проведення ЕСМ вимірювань дає змогу за допомогою нанолітографа створювати наноструктури. Еталонні зразки з різким p-n переходом можуть застосовуватися для калібрування вимірів в скануючій Кельвін зонд мікроскопії (СКЗМ) при подачі каліброваного зсуву на замикаючий перехід. При цьому для обчислення інструментальної функції СКЗМ досить продиференціювати профіль усередненого й нормалізованого сигналу падіння поверхневого потенціалу. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69408 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|