Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено взаємодію компонентів на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 за температури 873 K. З'ясовано, що на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 утворюються тверді розчини заміщення, у яких відбувається поступовий концентраційний перехід від ромбічної структури типу <$E alpha - roman GdSi sub 2> в тетрагональну типу <$E alpha - roman ThSi sub 2> і навпаки. В квазіпотрійних системах GdSi2 - GdGe2 - DyGe2 та GdSi2 - GdGe2 - TmGe2 виявлено два поля існування структур: ромбічної <$E alpha>-GdSi2 та тетрагональної <$E alpha - roman ThSi sub 2>, між якими відбувається неперервний перехід.

• Лучит Любов Володимирівна (педагогічні науки)
• Герман Наталія Володимирівна (педагогічні науки)
• Шпирка Зіновія Михайлівна (1957–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"