РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000654303<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Лучит Л. 
Дослідження перерізів GdSi2 - RGe2 (R = Tm,Dy) / Л. Лучит, Н. Герман, З. Шпирка // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім.. - 2015. - Вип. 56 (ч. 1). - С. 72-79. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.

Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено взаємодію компонентів на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 за температури 873 K. З'ясовано, що на перерізах GdSi2 - DyGe2 та GdSi2 - TmGe2 утворюються тверді розчини заміщення, у яких відбувається поступовий концентраційний перехід від ромбічної структури типу <$E alpha - roman GdSi sub 2> в тетрагональну типу <$E alpha - roman ThSi sub 2> і навпаки. В квазіпотрійних системах GdSi2 - GdGe2 - DyGe2 та GdSi2 - GdGe2 - TmGe2 виявлено два поля існування структур: ромбічної <$E alpha>-GdSi2 та тетрагональної <$E alpha - roman ThSi sub 2>, між якими відбувається неперервний перехід.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.25

Шифр НБУВ: Ж28852/х. Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського