Розглянуто міжпідзонні оптичні переходи в масиві невзаємодіючих одновимірних ланцюжків сферичних квантових точок (КТ) напівпровідникової системи GaAs/AlxGa1-xAs. Обчислено коефіцієнт поглинання, зумовлений цими переходами, залежно від частоти та поляризації падаючого світла, залягання рівня Фермі та температури. Встановлено наявність максимумів коефіцієнта поглинання на краях області поглинання в результаті міжпідрівневих переходів за встановленими правилами відбору та його залежність від положення рівня Фермі. Показано, що максимальне значення <$E alpha> досягається в центрі області між s-, p-подібними зонами і слабко змінюється з температурою. За зміни напрямку падіння лінійно поляризованої світлової хвилі з перпендикулярного 1D-НСКТ на паралельний, ширина смуги поглинання різко зменшується. Ширина смуги поглинання також зростає і за зменшення радіуса КТ із одночасним зсувом її в довгохвильову область. Одержано, що коефіцієнт поглинання не залежить від способу поляризації (лінійно чи циркулярно) світла, падаючого паралельно ланцюжку КТ, тоді як зміна напрямку поляризації на перпендикулярний призводить до появи квазірезонансної смуги всередині області поглинання. Проаналізовано залежність відносного коефіцієнта поглинання від концентрації Al в матриці GaAs/AlxGa1-xAs.

• Бойчук Василь Іванович (1953–2018) (фізико-математичні науки)
• Білинський Ігор Васильович (1964–) (фізико-математичні науки)
• Пазюк Роман Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"