На підставі зонних розрахунків, які грунтуються на теорії функціональної щільності (density functional theory (DFT)) одержано повні та парціальні щільності станів складових атомів сполук АРb₂Х₅ і Тl₃РbХ₅. Встановлено, що досліджувані галогеніди - непрямозонні напівпровідники. За результатами зонних розрахунків встановлено, що основний внесок у валентну зону (переважно у її верхню та центральну частини) сполук TlPb₂Х₅ і Тl₃РbХ₅ здійснюють валентні Хρ-стани, в той же час, дно та нижня частина валентної зони формуються переважно за рахунок внесків Рb6s- і Tl6s-станів. Дно зони провідності сполук TlPb₂Х₅ і Тl₃РbХ₅ формується, головним чином, за рахунок незаповнених Рb6ρ-станів із суттєвим внеском Хρ-станів. Досліджено рентгенівські фотоелектронні спектри внутрішніх і валентних електронів галогенідів АРb₂Х₅ і Тl₃РbХ₅ та рентгенівські емісійні смуги, які відображають енергетичний розподіл Вг4ρ і К4s-станів. Результати рентгенівської фотоелектронної спектроскопії свідчать про низьку гігроскопічність та високу хімічну стійкість поверхні монокристалів АРb₂Х₅ і Тl₃РbХ₅. Виконано DFT-розрахунки основних оптичних характеристик сполук АРb₂Br₅ (А = К, Rb), а саме коефіцієнта поглинання α(ω), діелектричних функцій ε₁(ω) і ε₂(ω), показника заломлення n(ω), коефіцієнта екстинкції κ(ω), коефіцієнта оптичного відбивання R(ω), спектра енергетичних втрат L(ω). Проведено дослідження оптичних спектрів поглинання в сполуках АРb₂Х₅ та Тl₃РbХ₅. Виявлено три області спектральної залежності коефіцієнта поглинання: експоненційну область в інтервалі 0 - 100 см^-1 та області непрямих і прямих оптичних переходів вище цієї області.

• Денисюк Наталія Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"