Представлено спектри фоточутливості різних типів гетеропереходів на основі шаруватих кристалів A<^>IIIB<^>VI, виготовлених як з ван-дер-ваальсівським зв'язком пар на гетеромежі, так і з ковалентним, обговорено особливості їх екситонних смуг. Прикладами першого типу гетеропереходу є пари n-InSe-p-InSe, p-GaSe-n-InSe, p-GaSe-n-In4Se3, n-SnS2-p-InSe. Як гетероперехід з ковалентним зв'язком виявилися інші системи: In2O3 - InSe, In2O3 - Ga2O3 - GaSe, In2O3 - Ga2O3 - GaTe. У випадку, де оксид володіє провідними властивостями, він відігравав безпосередню активну роль у формуванні гетеропереходу. Водночас, формування гетеропереходу з допомогою високотемпературного нагріву підкладок на повітрі, невимушено приводило до неконтрольованого росту власних оксидів на p-GaSe і p-GaTe, які проявили діелектричні властивості.

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"