Показано, що за співпадаючих (у межах похибок вимірів) величин параметра анізотропії рухливості <$EK~=~mu sub { symbol <94> } ~"/" mu sub ||>, значення параметра анізотропії термоерс <$EM~=~alpha sub || sup Ф "/" alpha sub { symbol <94> } sup Ф> у трансмутаційно легованих зразках n-Si є значно нижчими, ніжу кристалах n-Si, легованих тієї ж домішкою фосфору, але через розплав. Встановлено, що проведений на трансмутаційно легованих кристалах n-Si високотемпературний відпал за температури <$ET sub відп ~=~1200~symbol Р roman C>, незалежно від його тривалості (в інтервалі 2 - 72 год), призводить до зростання величини параметра M, причому цей ефект був більш яскраво виражений за швидкого охолодження (зі швидкістю ~ <$E1000~symbol Р roman C "/" хв>) від Tвідп до кімнатної температури.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"