Досліджено та встановлено закономірності змін основних електрофізичних характеристик кремнієвих транзисторних термосенсорів за дії радіаційного випромінювання, температури та релаксаційних процесів, а також розроблено рекомендації щодо підвищення їх радіаційної стійкості. Розроблено вимоги, яким повинні відповідати транзисторні структури для їх використання у термометрії. Показано, що на початковій стадії опромінення поверхнева складова радіаційно-стимульованих змін домінує над об'ємною, коли переважними є процеси радіаційно-стимульованого "заліковування" наявних структурних дефектів в області р - n-переходу. Показано, що наявність вбудованого та прикладеного електричних полів сприяє просторовому розділенню носіїв заряду та більш повільному виходу на насичення його величини в межах контакту напівпровідників. Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості транзисторних термосенсорів, який базується на попередньому низькодозному їх опроміненні з подальшим термічним відпалом і часовою релаксацією за відповідною програмою.

• Грипа Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"