В настоящее время исследования и разработка гетеропереходов ведутся в направлениях разработки технологических режимов создания промежуточных фаз на границе металл-полупроводник для снижения влияния поверхностных состояний на работу приборов с барьерами Шотгки. Недостаточно изучено влияние межфазной границы раздела на высоту барьера Шоттки <$Ephi sub Bn>, хотя предполагается, что его электрофизические свойства во многом определяются состоянием структуры в зоне контакта. Исследовались структуры Ag/n-GaAs(111). Параметры подложки: n-n<^>+GaAs(111)B эпитаксиальный монокристаллический, dэ.сл. = 2 мкм, <$Eroman {n sub эп.сл.}~=~2~cdot~10 sup 16> см<^>-3, nподл. = 10<^>18 см<^>-3, <$Emu~>>~5000~roman {см sup 2 "/" (B~cdot~c)}>. Барьерные переходы изготавливали в вакууме (<$Eroman p~=~2,66~cdot~10 sup -3> Па) термическим испарением. GaAs-подложка обрабатывалась в смеси толуола и метанола (1:2), в полирующем травителе 3H2SO4 - 1H2O2 - 1H2O; выдерживалась в диоксиянтарной кислоте HOOC - CH(OH) - CH(OH) - COOH. Отжиг структур проводили в интервале температур 723 - 873 К в течение 5 - 15 минут. Рекомендуемый режим термической обработки для получения барьеров Шоттки Ag/n-GaAs(111) с высотой потенциального барьера порядка 0,95 В: температура отжига - 823 К, продолжительность отжига - 10 минут. Установлено влияние температурного фактора на диффузию мышьяка и галлия в пленку серебра, что приводит к формированию переходных областей неоднородного химического состава.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"