Порада О. К. Фотолюмінесцентні властивості PECVD плівок на основі Si, C, N / О. К. Порада, В. С. Манжара, А. О. Козак, В. І. Іващенко, Л. А. Іващенко // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 2. - С. 02022-1-02022-6. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Тверді плівки на основі Si, C, N з аморфною структурою та наднизькою шорсткістю одержано на кремнієвих підкладках за допомогою плазмохімічного (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) методу із гексаметиддісилазану з додаванням водню і азоту за різних напруг зміщення Ud на підкладках (від -5 до -250 В). Досліджено фотолюмінесцентні й оптичні спектри одержаних зразків, а також їх твердість. Для інтерпретації властивостей плівок вивчено їх інфрачервоні спектри поглинання. У разі негативних напруг зміщення на підкладці за модулем вищими, ніж -100 В, спектри фотолюмінесценції мають два піки, стають меншими за інтенсивністю та зміщеними в низькоенергетичну область спектру. Допускається, що це пов'язано зі збільшенням кількості Si-C зв'язків в аморфній Si-C-N матриці та з ростом невпорядкованості аморфної структури плівок у разі збільшення напруги Ud, що випливає із аналізу спектрів інфрачервоного поглинання, оптичних спектрів, а також результатів дослідження твердості плівок. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В345.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|