Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe - Si(W) - MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от -900 до 900 мВ и при температурах 4,2 - 8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Предполагается, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шаповалов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"